ایل ڈی ایم او ایس (آہستہ آہستہ ڈفیوزڈ میٹل آکسائڈ سیمک کنڈکٹر) 900MHz سیلولر فون ٹکنالوجی کے لئے تیار کیا گیا ہے۔ سیلولر مواصلات مارکیٹ کی مستقل نشوونما LDMOS ٹرانجسٹروں کی اطلاق کو یقینی بناتی ہے ، اور LDMOS ٹکنالوجی پختہ ہوتی رہتی ہے اور اخراجات میں مسلسل کمی آتی ہے ، لہذا یہ مستقبل میں زیادہ تر معاملات میں بائپولر ٹرانجسٹر ٹیکنالوجی کی جگہ لے لے گی۔ بائپولر ٹرانجسٹروں کے مقابلے میں ، ایل ڈی ایم او ایس ٹیوبوں کا فائدہ زیادہ ہے۔ ایل ڈی ایم او ایس ٹیوبوں کا فائدہ 14 ڈی بی سے زیادہ تک پہنچ سکتا ہے ، جبکہ دو قطبی ٹرانجسٹروں کا 5 ~ 6dB ہے۔ LDMOS ٹیوبوں کا استعمال کرتے ہوئے PA ماڈیولز کا حصول تقریبا 60dB تک جاسکتا ہے۔ اس سے پتہ چلتا ہے کہ ایک ہی آؤٹ پٹ پاور کے لئے کم آلات کی ضرورت ہوتی ہے ، اس طرح پاور ایمپلیفائر کی وشوسنییتا میں اضافہ ہوتا ہے۔
ایل ڈی ایم او ایس دو طرفہ ٹرانجسٹر کے مقابلے میں تین گنا زیادہ اسٹینڈنگ لہر تناسب کا مقابلہ کرسکتا ہے ، اور ایل ڈی ایم او ایس ڈیوائس کو تباہ کیے بغیر اعلی عکاس طاقت میں کام کرسکتا ہے۔ یہ ان پٹ سگنل کے زیادہ جوش و خروش کو برداشت کرسکتا ہے اور ڈیجیٹل سگنل منتقل کرنے کے لئے موزوں ہے ، کیونکہ اس میں اعلی درجے کی فوری طاقت ہے۔ LDMOS حاصل وکر ہموار ہے اور کم مسخ کے ساتھ ملٹی کیریئر ڈیجیٹل سگنل پروردن کی اجازت دیتا ہے۔ ایل ڈی ایم او ایس ٹیوب میں سنترپتی کے خطے میں ایک کم اور غیر تبدیل شدہ انٹرموڈولیشن کی سطح ہے ، بائبلر ٹرانجسٹروں کے برعکس جس میں اعلی سطحی سطح ہوتی ہے اور بجلی کی سطح میں اضافے کے ساتھ تبدیلی ہوتی ہے۔ یہ اہم خصوصیت ایل ڈی ایم او ایس ٹرانجسٹروں کو بہتر لکیریٹی والے بائبلر ٹرانجسٹروں سے دگنی طاقت انجام دینے کی اجازت دیتی ہے۔ ایل ڈی ایم او ایس ٹرانجسٹروں میں درجہ حرارت کی بہتر خصوصیات ہیں اور درجہ حرارت کا قابلیت منفی ہے ، لہذا گرمی کی کھپت کے اثر کو روکا جاسکتا ہے۔ اس طرح کا درجہ حرارت استحکام طول و عرض میں تبدیلی صرف 0.1dB ہونے دیتا ہے ، اور اسی ان پٹ لیول کی صورت میں ، بائپولر ٹرانجسٹر کا طول و عرض 0.5 سے 0.6dB میں تبدیل ہوتا ہے ، اور عام طور پر درجہ حرارت معاوضہ سرکٹ کی ضرورت ہوتی ہے۔
LDMOS ساخت کی خصوصیات اور استعمال کے فوائد
ایل ڈی ایم او ایس کو وسیع پیمانے پر اپنایا گیا ہے کیونکہ سی ایم او ایس ٹکنالوجی کے ساتھ ہم آہنگ ہونا آسان ہے۔ ایل ڈی ایم او ایس ڈیوائس کا ڈھانچہ شکل 1 میں دکھایا گیا ہے۔ ایل ڈی ایم او ایس ایک ایسی ڈیوائس ہے جس میں ڈبل ڈسیوز ڈھانچہ ہے۔ یہ تکنیک ایک ہی وسیلہ / نالی والے خطے میں دو بار لگانا ہے ، ایک بڑے ارتکاز (1015CM-2 کی مخصوص امپلانٹیشن خوراک) کے ساتھ آرسنک (As) کی ایک امپلانٹیشن ، اور بوران کی ایک اور ٹرانسپلانٹیشن (ایک چھوٹا سا حراستی کے ساتھ (اس کی مخصوص امپلانٹیشن ڈوز) 1013CM-2))۔ بی) ایمپلانٹیشن کے بعد ، ایک اعلی درجہ حرارت کے فروغ کے عمل کو انجام دیا جاتا ہے۔ چونکہ بوران آرسینک سے تیز تر پھیلا ہوا ہے ، لہذا یہ گیٹ باؤنڈری کے نیچے پس منظر کی سمت کے ساتھ مزید پھیلا ہوا ہوگا (P-well in the চিত্র) ، حراستی تدریج کے ساتھ ایک چینل تشکیل دے گا ، اور اس کے چینل کی لمبائی دونوں پس منظر کے وسعت کے فاصلے کے فرق کے ذریعے طے شدہ . خرابی والی وولٹیج کو بڑھانے کے ل the ، فعال خطہ اور نالیوں کے خطے کے درمیان ایک بڑھے ہوئے علاقے ہیں۔ ایل ڈی ایم او ایس میں بہاؤ کا علاقہ اس قسم کے آلے کے ڈیزائن کی کلید ہے۔ بڑھے ہوئے خطے میں ناپاک حراستی نسبتا کم ہے۔ لہذا ، جب ایل ڈی ایم او ایس ایک اعلی وولٹیج سے منسلک ہوتا ہے تو ، بڑھے ہوئے خطے میں اس کی اعلی مزاحمت کی وجہ سے زیادہ وولٹیج کا سامنا کرنا پڑتا ہے۔ تصویر 1 میں دکھایا گیا پولی کرسٹل لائن LDMOS بہاؤ والے خطے میں فیلڈ آکسیجن تک پھیلا ہوا ہے اور فیلڈ پلیٹ کے طور پر کام کرتا ہے ، جو بڑھے ہوئے خطے میں سطح کے برقی فیلڈ کو کمزور کردے گا اور خرابی وولٹیج کو بڑھانے میں مدد فراہم کرے گا۔ فیلڈ پلیٹ کا اثر فیلڈ پلیٹ کی لمبائی سے قریب سے متعلق ہے۔ فیلڈ پلیٹ کو مکمل طور پر فعال بنانے کے ل one ، کسی کو سی او 2 پرت کی موٹائی کو ڈیزائن کرنا ہوگا ، اور دوسرا ، فیلڈ پلیٹ کی لمبائی کو ڈیزائن کرنا ہوگا۔
ایل ڈی ایم او ایس مینوفیکچرنگ کے عمل میں بی پی ٹی اور گیلیم آرسنائڈ کے عمل کو یکجا کیا گیا ہے۔ معیاری MOS عمل سے مختلف ، iن ڈیوائس پیکیجنگ ، ایل ڈی ایم او ایس بی او بیریلیم آکسائڈ تنہائی پرت کا استعمال نہیں کرتا ہے ، لیکن اس کی سطح پر براہ راست سخت وائرڈ ہے۔ تھرمل چالکتا میں بہتری آتی ہے ، آلہ کی اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت بہتر ہوتی ہے ، اور آلے کی زندگی بہت بڑھ جاتی ہے۔ . ایل ڈی ایم او ایس ٹیوب کے منفی درجہ حرارت کے اثر کی وجہ سے ، گرم ہونے پر رساو خود بخود شام ہوجاتا ہے ، اور دو قطبی ٹیوب کے درجہ حرارت کا مثبت اثر کلیکٹر موجودہ میں مقامی گرم جگہ نہیں بناتا ہے ، تاکہ ٹیوب آسانی سے خراب نہ ہو۔ لہذا ایل ڈی ایم او ایس ٹیوب بوجھ کی مماثلت اور حد سے تجاوز کرنے کی صلاحیت کو بہت حد تک مستحکم کرتا ہے۔ نیز ایل ڈی ایم او ایس ٹیوب کے خود کار طریقے سے موجودہ شیئرنگ اثر کی وجہ سے ، اس کے ان پٹ آؤٹ پٹ خصوصیت منحنی خطوط آہستہ آہستہ 1 ڈی بی کمپریشن پوائنٹ (بڑے سگنل ایپلی کیشنز کے لئے سنترپتی سیکشن) پر ، لہذا متحرک حد کو وسیع کیا جاتا ہے ، جو ینالاگ کی توسیع کے لئے موزوں ہے اور ڈیجیٹل ٹی وی آریف سگنل. LDMOS تقریبا لکیری ہوتا ہے جب چھوٹے سگنلوں کو تقریباl بغیر کسی مداخلت کی مسخ کے بڑھاوا دیتا ہے ، جو اصلاح سرکٹ کو بڑی حد تک آسان بنا دیتا ہے۔ ایم او ایس ڈیوائس کا ڈی سی گیٹ موجودہ تقریبا صفر ہے ، تعصب سرکٹ آسان ہے ، اور درجہ حرارت کے مثبت معاوضے کے ساتھ ایک پیچیدہ فعال کم تعدد بیس سرکٹ کی ضرورت نہیں ہے۔
ایل ڈی ایم او ایس کے لئے ، ایپیٹیکسیل پرت کی موٹائی ، ڈوپنگ حراستی ، اور بڑھے ہوئے خطے کی لمبائی سب سے اہم خصوصیت والے پیرامیٹرز ہیں۔ ہم بڑھے ہوئے خطے کی لمبائی میں اضافہ کرکے خرابی وولٹیج کو بڑھا سکتے ہیں ، لیکن اس سے چپ کے علاقے اور مزاحمت میں اضافہ ہوگا۔ ہائی وولٹیج ڈی ایم او ایس ڈیوائسز کا سامنا کرنا پڑتا ہے اور اس سے زیادہ مزاحمت اپٹیکسیال پرت کی حراستی اور موٹائی اور بڑھے ہوئے خطے کی لمبائی کے مابین سمجھوتہ پر منحصر ہے۔ کیونکہ وولٹیج کا مقابلہ اور مزاحمت اپیٹاکسیل پرت کی حراستی اور موٹائی کے لئے متضاد تقاضے رکھتے ہیں۔ تیز بریک ڈاؤن وولٹیج کے لئے ایک موٹی ہلکی ڈوپڈ ایپیٹیکسیئل پرت اور لمبی بڑھے ہوئے خطے کی ضرورت ہوتی ہے ، جبکہ کم مزاحمت میں ایک پتلی بھاری ڈوپڈ ایپیٹیکسیئل پرت اور ایک مختصر بہاؤ والے خطے کی ضرورت ہوتی ہے۔ لہذا ، ایک مخصوص ماخذ نالی خرابی وولٹیج کو پورا کرنے کے مقصد کے تحت سب سے کم مزاحمت حاصل کرنے کے ل the بہترین اپٹیکسیال پیرامیٹرز اور بڑھے ہوئے خطے کی لمبائی کا انتخاب کرنا ضروری ہے۔
ایل ڈی ایم او ایس کی درج ذیل پہلوؤں میں نمایاں کارکردگی ہے۔
1. حرارتی استحکام؛ 2. تعدد استحکام؛ 3. زیادہ فائدہ؛ 4. بہتر استحکام؛ 5. کم شور؛ 6. لوئر آراء capacitance؛ 7. آسان تعصب موجودہ سرکٹ؛ 8۔ مستقل ان پٹ مائبادا؛ 9. بہتر IMD کارکردگی؛ 10. لوئر تھرمل مزاحمت؛ 11. AGC کی بہتر صلاحیت۔ ایل ڈی ایم او ایس ڈیوائسز خاص طور پر سی ڈی ایم اے ، ڈبلیو-سی ڈی ایم اے ، ٹیٹرا ، ڈیجیٹل ٹیریسٹریل ٹیلی ویژن اور دیگر ایپلی کیشنز کے ل suitable موزوں ہیں جن کی وسیع تعدد کی حد ، اعلی خطاطی اور اعلی خدمات زندگی کی ضروریات کی ضرورت ہوتی ہے۔
ابتدائی دنوں میں ایل ڈی ایم او ایس کو بنیادی طور پر موبائل فون بیس اسٹیشنوں میں آریف پاور ایمپلیفائرز کے لئے استعمال کیا جاتا تھا ، اور اس کا اطلاق ایچ ایف ، وی ایچ ایف اور یو ایچ ایف براڈکاسٹ ٹرانسمیٹر ، مائکروویو ریڈار اور نیویگیشن سسٹم وغیرہ پر بھی کیا جاسکتا ہے۔ تمام آریف پاور ٹکنالوجیوں سے تجاوز کر کے ، لیٹریلی سے ڈفیوزڈ میٹل آکسائڈ سیمک کنڈکٹر (ایل ڈی ایم او ایس) ٹرانجسٹر ٹیکنالوجی اعلی طاقت سے چوٹی سے اوسط تناسب (پی اے آر ، چوٹی سے ایریج) لاتا ہے ، اسی طرح بیس اسٹیشن ایمپلیفائروں کی نئی نسل کو زیادہ فائدہ اور خطوط لاتا ہے۔ وقت ، یہ ملٹی میڈیا خدمات کے ل for اعداد و شمار کے ٹرانسمیشن کی شرح زیادہ لاتا ہے۔ اس کے علاوہ ، کارکردگی اور طاقت کی کثافت کے ساتھ عمدہ کارکردگی میں بھی اضافہ جاری ہے۔ پچھلے چار سالوں میں ، فلپس کی دوسری نسل کے 0.8-مائکرون ایل ڈی ایم او ایس جی ایس ایم ، ای ڈی جی ای اور سی ڈی ایم اے سسٹمز پر شاندار کارکردگی اور مستحکم بڑے پیمانے پر پیداواری صلاحیت موجود ہے۔ اس مرحلے میں ، ملٹی کیریئر پاور ایمپلیفائرز (ایم سی پی اے) اور ڈبلیو سی ڈی ایم اے معیارات کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے ، ایک جدید ترین ایل ڈی ایم او ایس ٹیکنالوجی بھی مہیا کی گئی ہے۔
ہمارے دیگر مصنوعات:
